公司的红外探测器批产项目得到国家的大力支持,研发资金充足,将有效提升公司核心产品--红外探测器--的技术含量和探测能力。国家的大力支持无疑是其对高灵敏、大面阵的红外探测器价值的肯定,对于推动我国红外探测事业无疑帮助巨大。
InAs/GaSb(铟砷镓锑)II类超晶格首先由诺贝尔奖获得者江崎玲于奈等人在上世纪七十年代末首先提出,经过众多科研人员的不断跟进,逐渐发掘出其 在红外探测领域的应用潜力,并因此得到快速发展。超晶格类探测器可以通过调节势垒(GaSb)和势阱(InAs)的厚度从而调节探测器的响应波段,利用这 一特性,InAs/GaAs可以覆盖3~30微米的探测范围。同时超晶格材料长工艺较为成熟(MOCVD、MBE等),样品质量更均匀可控,更利于制作面 阵(需要高度均匀),因此是常规的中远红外探测材料HgCdTe(MCT,碲镉汞)的有力替代品。
高德红外作为红外热成像技术龙头和“民参军”标杆企业,已是多款军用重点型号高端装备类 系统产品国内唯一供应商。公司内生外延并举,将自身优秀的红外探测技术与汉丹机电的火工技术相结合,成功开发了自寻的反坦克武器,实现了精确武器打击系统 产业链的贯通,打破了以往民营企业只进行零部件配套的历史,实现了由系统配套厂商向完整导弹武器系统总体单位的跨越。未来公司将能够长期受益于红外“自寻 的”系列导弹武器系统为公司带来的盈利能力,并进一步强化公司在国内红外系统领域的领先优势。